Металокерамічні підкладки

Металокерамічні підкладки

Металокерамічні підкладки — це тип основного матеріалу, який використовується в електронних схемах, особливо в технології тонких плівок. Вони виготовлені з керамічних матеріалів, таких як оксид алюмінію (Al2O3), нітрид алюмінію (AlN) або карбід кремнію (SiC). Керамічні підкладки мають чудову термічну та хімічну стійкість, високу механічну міцність, чудову електроізоляцію та здатність обробляти високочастотні сигнали.

В електронних схемах керамічні підкладки забезпечують стабільну поверхню для встановлення електронних компонентів і допомагають у передачі сигналу. Вони часто використовуються в додатках, що вимагають великої потужності, таких як підсилювачі потужності, комутаційні регулятори та регулятори напруги. Керамічні підкладки також використовуються в гібридних і інтегральних схемах, датчиках та інших електронних пристроях.

Керамічні підкладки мають унікальні властивості, які роблять їх корисними в різних промислових застосуваннях. Вони витримують високу температуру, агресивне середовище та хімічний вплив. Вони також легкі, міцні та універсальні, що робить їх ідеальними для електронного пакування, автомобільної, аерокосмічної промисловості та інших складних застосувань.

Загалом, керамічні підкладки пропонують багато переваг в електронних і промислових застосуваннях, де стабільність, надійність і висока продуктивність є критичними факторами.

Ви можете бути впевнені, купуючи у нас металеві керамічні підкладки на замовлення. Torbo з нетерпінням чекає на співпрацю з вами, якщо ви хочете знати більше, ви можете проконсультуватися з нами зараз, ми відповімо вам вчасно!

Металокерамічні підкладки Torbo®

Пункт: Металокерамічні підкладки

Матеріал: Si3N4

Колір: сірий

Товщина: 0,25-1 мм

Обробка поверхні: подвійне полірування

Насипна щільність: 3,24 г/м²

Шорсткість поверхні Ra: 0,4 мкм

Міцність на вигин: (3-точковий метод): 600-1000 МПа

Модуль пружності: 310Gpa

В'язкість до руйнування (метод IF): 6,5 МПа･√м

Теплопровідність: 25°C 15-85 Вт/(м･K)

Коефіцієнт діелектричних втрат: 0,4

Питомий об'ємний опір: 25°C >1014 Ω･㎝

Міцність на розрив: DC >15㎸/㎜